发明名称 具有多层布线结构的半导体晶片装置及其封装方法
摘要 一种具有多层布线结构的半导体晶片装置及其封装方法,该封装方法包含如下的步骤:提供一半导体晶片,于该晶片的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层,该第一绝缘层设有用于暴露焊垫的通孔;于该焊垫上形成第一导电体,该第一导电体具有与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层上的第二端部;于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层,该第二绝缘层设有暴露第一导电体的第二端部的通孔;于第一导电体的第二端部上形成另一导电体;于该第二绝缘层上形成一第三绝缘层,于另一导电体上形成一导电球体。本发明可以针对晶片焊垫间的距离越来越小的情况下使焊垫易于与外部电路电气连接,进而提高生产效率及优良品率。
申请公布号 CN1665009A 申请公布日期 2005.09.07
申请号 CN200410007483.4 申请日期 2004.03.05
申请人 沈育浓 发明人 沈育浓
分类号 H01L21/60;H01L23/48;H01L23/52 主分类号 H01L21/60
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 李树明
主权项 1.一种具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法,其特征在于:包含如下的步骤:(1)提供一半导体晶片,该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫;(2)于该晶片的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层,该第一绝缘层是对应于该晶片的焊垫形成有数个用于暴露对应的焊垫的通孔;(3)于至少一个所述的焊垫上形成一第一导电体,该第一导电体具有一与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层的顶表面上的第二端部;(4)于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层,该第二绝缘层对应于该第一导电体的第二端部形成有数个用于暴露对应的第一导电体的第二端部的通孔;(5)于每一第一导电体的第二端部上形成另一导电体;(6)于该第二绝缘层上形成一第三绝缘层,该第三绝缘层对应于所述的另一导电体形成数个用于暴露对应的另一导电体的通孔;(7)于每一所述的另一导电体上形成一导电球体。
地址 台湾省台北市