发明名称 |
飞秒脉冲激光制备β-FeSi<SUB>2</SUB>半导体薄膜的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi<SUB>2</SUB>半导体薄膜的方法,将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10<SUP>-5</SUP>~10<SUP>-3</SUP>Pa,以FeSi<SUB>2</SUB>合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以10<SUP>12</SUP>~10<SUP>15</SUP>W/cm<SUP>2</SUP>的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底,在较低的温度下,短时间内合成大面积的、均匀的单相β-FeSi<SUB>2</SUB>薄膜,所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性,解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β-FeSi<SUB>2</SUB>薄膜的技术难题。 |
申请公布号 |
CN1664989A |
申请公布日期 |
2005.09.07 |
申请号 |
CN200510018221.2 |
申请日期 |
2005.01.28 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
周幼华;陆培祥;郑启光 |
分类号 |
H01L21/203;C23C14/22 |
主分类号 |
H01L21/203 |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 |
代理人 |
朱仁玲 |
主权项 |
1.一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法,其特征在于:将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空,气压10-5~10-3Pa,以硅化铁FeSi2合金为靶材,将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内,靶材和基片平行,且相距20~50mm,基片加热到20℃~700℃,然后保温,以1012~1015W/cm2 的峰值功率密度的激光束照射靶材,喷出的等离子体在基片上沉积,沿基片晶面外延生长形成薄膜。 |
地址 |
430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |