发明名称 |
用于加工金属的方法和设备以及由此生产出的金属 |
摘要 |
本发明包括用于生产高纯度金属(例如高纯度钴)的方法和设备,还包括由此生产的高纯度金属。此方法包括电解和跟随有熔炼的离子交换的结合,从而生产出所希望纯度的钴。此方法可以得到包括低于50ppm的总金属杂质的高纯度钴。所生产出的钴的各种元素杂质可以如下:各低于0.5ppm的Na和K,低于10ppm的Fe,低于5ppm的Ni,低于1ppm的Cr,低于3ppm的Ti和低于450ppm的O。 |
申请公布号 |
CN1218071C |
申请公布日期 |
2005.09.07 |
申请号 |
CN01814656.2 |
申请日期 |
2001.06.15 |
申请人 |
霍尼韦尔国际公司 |
发明人 |
G·王;D·M·海多克;J·勒曼 |
分类号 |
C25C1/00;C25C1/08;C23C14/34;C22B23/00 |
主分类号 |
C25C1/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
温大鹏;黄力行 |
主权项 |
1.一种用于纯化金属的方法,包括:提供具有阳极和阴极的电解槽,阳极包括将要纯化的金属;将来自阳极的金属阳极地溶解在电解液中作为金属离子电解质;在溶解之后,使至少一部分所述电解液穿过离子交换树脂以减少在电解液中的一种或多种杂质相对于电解液中的金属离子浓度的浓度,电解质在下述条件下穿过树脂:其中金属离子不装载在树脂上而是流过树脂,其中一种或多种杂质保留在树脂上;在使至少一部分电解液穿过树脂之后,将所述电解质转移回所述电解槽并且将来自电解质的金属离子的金属阴极地沉积在阴极上;以及其中,在阴极地沉积的过程中阴极具有暴露于电解质的表面,并且在阴极地沉积之前围绕此表面的周边形成非导电材料。 |
地址 |
美国新泽西州 |