发明名称 氧化铟薄膜材料及制备方法
摘要 本发明公开了一种氧化铟薄膜材料及制备方法。材料包括衬底,特别是衬底上覆有单层或多层氧化铟球形孔构成的薄膜,氧化铟球形孔的直径为100~5000nm,薄膜的厚度为50nm~100μm;方法包括用旋涂法或垂直提拉法将胶体球附于衬底表面而形成模板,特别是先将浓度为0.1~0.5摩尔的氢氧化铟溶胶渗入衬底上的胶体球间,再将渗有氢氧化铟溶胶的模板于50~110℃下加热0.5~3小时,然后将浸在二氯甲烷中的模板置于超声波中1~3分钟,最后,将模板置于370~500℃下退火1~3小时,制得氧化铟薄膜材料。它制得的氧化铟薄膜材料是由呈六方紧密排列的、单层或多层的、孔间相互连通的、孔骨架致密的、孔径和厚度均为纳米或微米级的有序球形孔构成,制备的工艺简单、成本低,无污染,适于工业化生产。
申请公布号 CN1663914A 申请公布日期 2005.09.07
申请号 CN200410014236.7 申请日期 2004.03.05
申请人 中国科学院固体物理研究所 发明人 李越;蔡伟平;段国韬;孙丰强;张立德
分类号 C01G15/00;B05D1/00;B05D5/00;C03C17/25;H01L21/368 主分类号 C01G15/00
代理机构 代理人
主权项 1、一种氧化铟薄膜材料,包括衬底,其特征在于所说衬底上覆有单层或多层氧化铟球形孔构成的薄膜,所说氧化铟球形孔的直径为100~5000nm,所说薄膜的厚度为50nm~100μm。
地址 230031安徽省合肥市1129信箱
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