发明名称 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法
摘要 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法,涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置及生长方法存在着结晶体成分沿生长方向不一致的弊端。本发明的生长装置在第二层石英管1-2内第一加热线圈4-1的外部设有第二加热线圈4-2,所述第三层石英管1-3同时与传动装置5连接。本发明的生长方法为,第一加热线圈4-1加热后构成基础温区,第二加热线圈4-2加热后构成高温区,原料与籽晶的接触处处于高温区至熔化后,传动装置5带动石英管及其内部的加热线圈向生长船内的“原料”一端移动,原料依次通过高温区熔化后定向凝固,得到晶体。用本发明装置及方法生长的晶体可以定向生长且晶体组成沿长生方向均匀一致,利于推广应用。
申请公布号 CN1664175A 申请公布日期 2005.09.07
申请号 CN200410044154.7 申请日期 2004.12.22
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 杨春晖;许艳波;王佳;朱崇强
分类号 C30B11/00;C30B11/14;C30B29/40 主分类号 C30B11/00
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 张伟
主权项 1.一种晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置,它包括三层石英管(1)、安装在第一层石英管(1-1)和第二层石英管(1-2)之间的热电耦(2),安装在第一层石英管(1-1)内的生长船(3),安装在第二层石英管(1-2)内的第一加热线圈(4-1),其特征在于在第二层石英管(1-2)内第一加热线圈(4-1)的外部还设有第二加热线圈(4-2),所述第三层石英管(1-3)同时与传动装置(5)连接。
地址 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号