制造具有T形鳍片的鳍片场效应晶体管器件的方法及所制造的器件

摘要

一种制造具有T形鳍片的FinFET器件的方法及所制造的器件。FET器件包括一种半导体结构，所述半导体结构包括在衬底的水平表面上的源岛和漏岛，所述衬底包括绝缘材料。在衬底的水平表面上的沟道结构连接在漏和源之间，所述沟道结构包括在垂直鳍片上的水平半导体沟道鳍片，平面鳍片和垂直鳍片具有T形截面。垂直鳍片与衬底的水平表面接触，平面鳍片与垂直鳍片的顶部接触。栅极介质层覆盖沟道结构的暴露表面。栅极跨过沟道栅极介质和沟道结构。然后在形成垂直鳍片之前，在衬底上沉积例如SiGe的牺牲层，所述垂直鳍片可以是半导体或介质材料。平面鳍片是半导体材料，例如Si、SiGe或Ge。

主权项

1.一种制造FET器件的方法，该方法包括以下步骤：在包括绝缘材料的衬底的水平表面上形成包括源区和漏区的半导体结构；在所述衬底的水平表面上形成连接在所述漏区和所述源区之间的沟道结构，所述沟道结构包括在垂直鳍片上的水平半导体沟道鳍片，其中所述平面鳍片和所述垂直鳍片具有T形截面，所述垂直鳍片具有基部边缘和端部边缘，其中所述基部边缘与所述衬底的水平表面接触，所述平面鳍片与所述垂直鳍片的所述端部边缘接触；在所述沟道结构的暴露表面上形成栅极介质层；以及形成跨过所述沟道栅极介质和所述沟道结构的栅极。