非挥发性存储单元及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储单元(Memory Cell)，包括一开关装置，设置于一基板上；一第一平板电容，具有一第一掺杂区；以及一第二平板电容，具有一第二掺杂区，其中该开关装置与第一、第二平板电容是共享一多晶硅浮置栅极，以储存电荷作为该非挥发性存储单元的写入，并且在不导致该非挥发性存储单元内任何接面崩溃之下，由该第一掺杂区与该浮置栅极间的隧通(tunneling)，来抹除该非挥发性存储单元；且该第一、第二掺杂区是在该多晶硅浮置栅极形成之前，形成于该基板中，使得在一操作电压范围之内，该第一、第二平板电容的电容值为固定值。

主权项

1.一种非挥发性存储单元，包括：一开关装置，设置于一基板上；一第一平板电容，具有一第一掺杂区；以及一第二平板电容，具有一第二掺杂区，其中该开关装置与第一、第二平板电容共享一多晶硅浮置栅极，以储存电荷作为该非挥发性存储单元的写入，并且在不导致该非挥发性存储单元内任何接面崩溃之下，由该第一掺杂区与该浮置栅极间的隧通，来抹除该非挥发性存储单元；且该第一、第二掺杂区是在该多晶硅浮置栅极形成之前，形成于该基板中，使得在一操作电压范围之内，该第一、第二平板电容的电容值为固定值。