| 发明名称 | 形成多晶硅锗层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种形成多晶硅锗层的方法。此方法使用以二硅乙烷Si<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>(Disilane)与含锗气体为前驱物于约500℃至约600℃之间进行反应的化学气相沉积法形成一多晶硅锗层于一闸极介电层之上作为闸极。此多晶硅锗层直接形成于闸极介电层之上且具有均匀平坦的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1664990A | 申请公布日期 | 2005.09.07 |
| 申请号 | CN200410028649.0 | 申请日期 | 2004.03.04 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 褚国栋;程立伟 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/285 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种形成多晶硅锗层的方法，其特征在于，该方法包含：提供一底材，该底材上具有一介电层于其上；及执行一以二硅乙烷Si2H6与含锗气体为前驱物的化学气相沉积制程形成一多晶硅锗层于该介电层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 | ||