制造快闪记忆体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造快闪记忆体装置的方法，该方法可藉由浮动闸极之杂质扩散来最小化一电洞电流，藉由增加崩溃电压来获得足够的记忆胞运作电容，并且藉由在一当做浮动闸极之多晶矽膜上形成一氧化物膜、掺杂一杂质至该氧化物膜中以及退火处理该氧化物膜，以在介于该氧化物膜与该多晶矽膜之间的界面上填满该杂质，据此改良一快闪记忆胞的资料保留能力属性。