| 摘要 |
知技术中，肖特基障壁二极体之VF、IR特性系一种权衡的关系，在实现低VF化上系具有无可避免漏电流增大之问题。此外，藉由进入P＋区域以扩展空乏层，并利用夹止功效而抑制漏电流之构造虽亦为知，但，实际上要完全闭锁空乏层则有困难。设置P＋型区域，且在P＋型区域及其周围之空乏区域系连接低VF的肖特基金属层，而在空乏区域间之N型基板表面系连接低IR肖特基金属层。在顺偏压时，电流系流通低VF金属层，在反偏压时，则因空乏区域而使狭窄的电流路径仅形成低IR金属层部份。据此而能实现低VF、低IR之肖特基障壁二极体。 |
