用以在半导体装置中形成氧化膜之方法

摘要

本发明系有关于一种用以在半导体装置中形成氧化膜之方法。依据本发明，在形成一氧化膜之后，可经由一高温热处理制程及一预处理热制程减少界面间捕捉电荷及氧化物捕捉电荷。再者，当形成一具有减少之捕捉电荷的氧化膜时，可改善装置之可靠度及可防止临界电压之变动。