发明名称 嵌入式半导体产品及其制造方法
摘要 一种嵌入式半导体产品,其具有一第一隔离沟槽以及形成于该第一隔离沟槽中之一第一隔离区域毗邻于一半导体基底之逻辑单元主动区,并具有一第二隔离沟槽以及形成于该第二隔离沟槽之一第二隔离区域毗邻于该半导体基底之记忆单元主动区。该第二隔离沟槽之深度系较该第一隔离沟槽为深,因此埋置于至少部份该第二隔离区域中之储存电容的电容板将可具有较大之电容。
申请公布号 TW200529353 申请公布日期 2005.09.01
申请号 TW093135068 申请日期 2004.11.16
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 涂国基
分类号 H01L21/70 主分类号 H01L21/70
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号