发明名称 具有含钼之相移器的极短紫外线光罩
摘要 本发明描述一种方法,包括:准备基板,该基板包含第一个区域和第二个区域;形成多层镜覆于该基板上;形成相移层覆于该多层镜上;形成封堵层覆于该相移层上;移除该第二个区域中的该封堵层和该相移层;该第一个区域和该第二个区域以EUV光照射;和反射移开该第一个区域和该第二个区域的EUV光。本发明亦描述一种构造,包括:基板,该基板包含第一个区域和第二个区域;多层镜,覆于该第一个区域和该第二个区域;相移层,覆于第一个区域中的该多层镜上;强度均衡层,覆于该第二个区域中的该多层镜上;和封堵层,覆于该第一个区域中的该相移层上和覆于该第二个区域中的该强度均衡层上。
申请公布号 TW200528914 申请公布日期 2005.09.01
申请号 TW093140596 申请日期 2004.12.24
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 李胜宏
分类号 G03F1/00 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国