发明名称 | 用以形成浅沟槽结构之化学机械研磨制程 | ||
摘要 | 一种浅沟槽结构之复合式化学机械研磨方法,包括以下步骤。首先,提供一基底,该基底中具有一浅沟槽结构,并且该基底上具有一图案化之氮化矽层,其中一氧化层已形成于该浅沟槽结构以及该图案化之氮化矽层上。其次,进行一第一研磨步骤,以一第一研磨速度与一第一氧化物对氮化物选择比移除该氧化层,使得残留之氧化层厚度介于一预设之厚度。最后,进行一第二研磨步骤,以一第二研磨速度与一第二氧化物对氮化物选择比移除该残留之氧化层,以该图案化之氮化矽层为该第二研磨步骤之一研磨终止层,其中,该第二氧化物对氮化物选择比,大于该第一氧化物对氮化物选择比。 | ||
申请公布号 | TW200528237 | 申请公布日期 | 2005.09.01 |
申请号 | TW093104044 | 申请日期 | 2004.02.19 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许加融;余志展;吕晓玲;蔡腾群 |
分类号 | B24B7/24 | 主分类号 | B24B7/24 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |