具单边埋入带之记忆体装置的制造方法

摘要

本发明揭露一种具单边埋入带之记忆体装置的制造方法。为了制作轮廓完整的沟槽隔离物，将蚀刻导电结构材质分为两阶段进行，先以图案化氮化物蚀刻罩幕层为遮蔽，第一阶段去除部份导电结构，使导电结构表面些许凹陷后，再顺应性形成一牺牲层于图案化罩幕层表面、导电结构表面以及沟槽侧壁，然后再进行第二阶段蚀刻，如此一来，牺牲层可以于沟槽侧壁与图案化罩幕层表面提供蚀刻缓冲效果，避免图案化罩幕与沟槽侧壁被蚀刻损伤，以维持蚀刻的图案轮廓完整。