制造半导体装置之方法

摘要

一种形成半导体储存元件的方法，该方法包括下列步骤：在一氧化环境中将掺杂物以离子植入一半导体基底中，以形成一扩散区；以及形成复数个记忆体单元，其中各记忆体单元分别具有一金氧半导体(MOS)电晶体，各金氧半导体电晶体分别包括以扩散区形成之源极与汲极。