发明名称 侧面发射之雷射二极体封装
摘要 本创作侧面发射之雷射二极体封装,系于底部具有导电端子之基座结合一雷射晶粒(雷射二极体),令雷射晶粒发光方向与基座呈平行,于基座上设有一封盖保护雷射晶粒,并于封盖侧壁对应雷射晶粒发光方向开设一透光孔,于透光孔可选择性设有透镜,藉此种封装结构改良,俾通用于封装面射型雷射二极体或边射型雷射二极体。
申请公布号 TWM274649 申请公布日期 2005.09.01
申请号 TW094203149 申请日期 2005.03.01
申请人 联钧光电股份有限公司 发明人 郑祝良
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种侧面发射之雷射二极体封装,包括一基座、一雷射晶粒及一封盖组成;该基座之顶面设有一支柱,底面设有数导电端子,该雷射晶粒系结合于支柱侧面,该封盖系罩设于基座将支柱及雷射晶粒封住,其特征在于:该雷射晶粒可为边射型雷射二极体,使其边发光端之发光方向与基座呈平行,与导电端子呈垂直;且该封盖侧壁开设有一透光孔对应发光方向,以组成侧面发射之雷射二极体封装者。2.如申请专利范围第1项所述侧面发射之雷射二极体封装,其中该雷射晶粒包括可为面射型雷射二极体,使其面发光端之发光方向与基座呈平行,与导电端子呈垂直,并对应于封盖之透光孔。3.如申请专利范围第1项或第2项所述侧面发射之雷射二极体封装,其中该封盖之透光孔系设有一透镜。图式简单说明:第一图为本创作组成状态之立体示意图。第二图为本创作封盖分解状态之立体示意图。第三图为本创作边射型雷射二极体组成状态之纵断面示意图。第四图为本创作边射型雷射二极体组成状态之横断面示意图。第五图为本创作面射型雷射二极体组成状态之纵断面示意图。第六图为本创作面射型雷射二极体组成状态之横断面示意图。第七图为习见边射型雷射二极体之组成示意图。第八图为习见面射型雷射二极体之组成示意图。第九图为习见雷射二极体应用状态示意图之一。第十图为习见雷射二极体应用状态示意图之二。
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