半导体制造装置之工件支持器

摘要

本发明提供一种半导体制造装置工件支持器，其晶圆固持表面具有优秀的等温特性，而此特性则适用于涂装机/显影机中之光蚀刻光阻的热固化，以及低介电常数，亦即低介电值绝缘薄膜的软烤。该工件支持器系由一晶圆支持器1以及一支持该晶圆支持器1之支持元件4组成，并具有该支持元件4之热传导较该晶圆支持器1之热传导为低的特色。该晶圆支持器1和该支持元件4没有互相连结，抑或是在互相连结的情况下，具有2.0×10-6/℃或者更少的热膨胀系数差异。该晶圆支持器1之主要的构成要素最好是AlN，而该支持元件4之主要的构成要素最好是富铝红柱石。

主权项

1.一种供半导体制造装置使用之固持元件,该固持元件包含:一陶瓷做成之晶圆支持器,其中嵌入一抗热元件;以及一支撑该晶圆支持器之支持元件,该支持元件之热传导较该晶圆支持器之热传导为低。2.如申请专利范围第1项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中该晶圆支持器和该支持元件没有互相连结,或是在互相连结的情况下,具有2.010-6/℃或者更少的热膨胀系数。3.如申请专利范围第1项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中至少一选自AlN、Al2O3、SiC及Si3N4之陶瓷种类系为该晶圆支持器之主要的构成要素。4.如申请专利范围第2项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中至少一选自AlN、Al2O3、SiC及Si3N4之陶瓷种类系为该晶圆支持器之主要的构成要素。5.如申请专利范围第3项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中该晶圆支持器系AlN。6.如申请专利范围第1项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中富铝红柱石系该支持元件之主要的构成要素。7.如申请专利范围第2项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中富铝红柱石系该支持元件之主要的构成要素。8.如申请专利范围第3项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中富铝红柱石系该支持元件之主要的构成要素。9.如申请专利范围第5项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中富铝红柱石系该支持元件之主要的构成要素。10.如申请专利范围第6项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中该支持元件系富铝红柱石和氧化铝的复合物。11.如申请专利范围第1项之供半导体制造装置使用之固持元件,其中该半导体制造装置系一用于光蚀刻树脂薄膜之热固化、或低介电常数绝缘薄膜之软烤的装置。图式简单说明:图1为一概要的剖面图,例示本发明之晶圆支持器被固定至一室的内部。