| 主权项 |
1.一种用以调整包含具有多层薄膜的多层镜面的光学系统的方法,该方法包含下列步骤:使用具有适合该光学系统的波长的光来量测该光学系统的波前像差的第一量测步骤;使用与该光学系统适用波长不同波长的光来量测该光学系统的波前像差的第二量测步骤;依据该第一量测步骤所得结果来移除在多层镜面内的部分多层薄膜的步骤;及在该移除步骤之后,依据该第二量测步骤所得结果来调整多层镜面的步骤。2.一种用以调整包含具有多层薄膜的多层镜面的光学系统的方法,该方法包含下列步骤:调整该多层镜面;在该调整步骤之后获取多层镜面的讯息;移除在多层镜面内的部分多层薄膜,俾可减少与该光学系统适用波长不同波长的光的波前像差,及在该移除步骤之后,依据该移除步骤来调整多层镜面。3.一种用以调整包含具有多层薄膜的多层镜面的光学系统的方法,该方法包含下列步骤:使用与该光学系统适用波长不同波长的光来量测该光学系统的波前像差;及依据该量测步骤所量测得的波前像差来移除在多层镜面内的部分多层薄膜。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该量测步骤可将在该量测步骤所量测得的波前像差,转换成具有适用该光学系统的波长的光的波前像差;及移除部分多层薄膜,俾可减少该转换的波前像差。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该移除步骤,可依据与该光学系统适用波长不同波长的光的光学系统波前像差,与该光学系统适用波长的光的光学系统的波前像差之间的关系,来移除部分多层薄膜。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中另包含一再量测步骤,以利用与该光学系统适用波长不同波长的光来量测该光学系统的波前像差。7.如申请专利范围第3项之方法,另包含:在该移除步骤之后的再量测步骤,利用与该光学系统适用波长不同波长的光来量测该光学系统的波前像差。8.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,另包含在该移除步骤之后的再量测步骤,利用与该光学系统适用波长不同波长的光来量测该光学系统的波前像差,并藉以移除该多层镜面内的部分多层薄膜。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该再量测步骤藉配置一光罩于该多层镜面上来执行量测,以移除在多层镜面内的部分多层薄膜。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该再量测步骤由量测资料移除资料,该资料与自该多层镜面移除的多层镜面的部分多层薄膜的面积相对应。11.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中与该光学系统适用波长不同波长的光可以是紫外光、可见光或红外线。12.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该调整步骤可调整多层镜面的位置或角度。13.一种调整装置,用以调整包含具有多层薄膜的多层镜面的光学系统,该调整装置包含:量测构件,使用与该光学系统适用波长不同波长的光来量测该光学系统的波前像差;移除构件,将部分多层薄膜自多层镜面移除,及控制器,依据该量测构件所量测得的波前像差,来控制该移除构件,使得该部分多层薄膜自多层镜面移除。14.一种曝光装置,包含:照明光学系统,将在光罩上的一态样投影至一待曝光的物件上,该投影光学系统具有复数多层镜面;及量测构件,使用与该曝光适用波长不同波长的光来量测该投影光学系统的波前像差。15.一种半导体装置制造方法,包含下列步骤:使用如申请专利范围第14项所述的曝光装置来将位在一光罩上的电路设计曝光至一物件上;将该已曝光的物件加以显影;及将该已显影的物件加以蚀刻。图式简单说明:图1显示一用以说明本发明调整方法的流程图。图2系本发明调整装置的示意方块图。图3A及图3B显示多层薄膜中,入射光与反射波前的关系是示意图,其中层的数量系依据位置而一致。图4A及4B是示意图,显示在一多层内的入射光及反射波前之间的关系,其中该多层的数量依据位置而不同。图5的图表显示多层薄膜的反射比特性,图6A至6C是显示多层薄膜移除部分的效应的图表。图7A及7B是示意剖面图,显示在一扭曲镜面上形成一多层薄膜的多层镜面。图8A及8B是示意剖面图,显示在一镜面上形成一多层薄膜的多层镜面,其在边缘上方的中心处隆起。图9揭示本发明曝光装置的概意结构图。图10是一流程图,说明装置(如半导体晶片如IC及LSI、LCDs、CCDs等)如何制造。图11是图10步骤4中的晶圆程序的详尽流程图。图12揭示依据本发明的另一调整方法。图13是PS/PDI光罩的视图。图14是一流程图,说明本发明的调整方法。 |
