| 主权项 |
1.一种半导体封装体,包含:一第一电路板,该第一电路板包括至少一个置于其之一主表面上的导电焊垫;一第二电路板,该第二电路板包括至少一个在其之一主表面上的导电焊垫;一半导体晶元,该半导体晶元包括一个在其之第一主表面上的第一电气接点和一个在其之第二主表面上的第二电气接点;其中,该半导体晶元系被设置于在该第一电路板上的该至少一个导电焊垫与在该第二电路板上的该至少一个导电焊垫之间,而该第一电气接点系电气地连接到在该第一电路板上的该至少一个导电焊垫而该第二电气接点系电气地连接到在该第二电路板上的该至少一个导电焊垫。2.如申请专利范围第1项所述之半导体封装体,更包含电气地连接到该半导体晶元之第一电气接点与第二电气接点的端子,该等端子系被设置于该等基板中之至少一者上。3.如申请专利范围第1项所述之半导体封装体,其中,每个电路板是为一绝缘金属基板。4.如申请专利范围第1项所述之半导体封装体,其中,该半导体晶元是为一个包括一控制端的切换功率半导体元件,该控制端系被设置于该晶元之第一主表面与该晶元之第二主表面中之一者上而且系电气地连接到一个在该等电路板中之一者上的导电焊垫,及电气地连接到一个置于该等电路板中之一者上的端子。5.如申请专利范围第1项所述之半导体封装体,其中,该半导体晶元是为一金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)与一绝缘闸双极电晶体(IGBT)中之一者。6.如申请专利范围第1项所述之半导体封装体,其中,该半导体晶元的第一电气接点和第二电气接点系经由对应的导电黏着物层来连接到对应的导电焊垫。7.如申请专利范围第6项所述之半导体封装体,其中,该导电黏着物是为焊锡与导电环氧树脂中之一者。8.如申请专利范围第1项所述之半导体封装体,更包含一个设置在该等电路板之间的环氧树脂充填材料。9.如申请专利范围第1项所述之半导体封装体,更包含一个设置在该等电路板中之一者上的散热器。10.如申请专利范围第1项所述之半导体封装体,更包含至少一个被设置于每个电路板上的散热器。11.一种半导体封装体,包含:一第一热传导基板,该第一热传导基板包括数个被设置于其之第一主表面上的导电焊垫;一第二热传导基板,该第二热传导基板包括数个被设置于其之第一主表面上的导电焊垫;数个功率半导体装置,该等功率半导体装置各包括一个在其之第一主表面上的第一电力接点、一第二电力接点及一在其之第二主表面上的控制接点;其中,该数个功率半导体装置系被设置于该第一热传导基板的第一主表面与该第二热传导基板的第一主表面之间,其中,该等功率半导体装置之该等接点中之每一者系电气地连接到该数个导电焊垫中之对应之一者,且其中,在该热传导基板上的该等导电焊垫系互相连接来形成一电路的部份。12.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,更包含经由该等导电焊垫来连接到该等功率半导体装置且系被设置于该等基板中之至少一者上的输出端。13.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,其中,该热传导基板是为绝缘金属基板。14.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,其中,该等功率半导体装置是为功率MOSFET与IGBT中之一者。15.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,其中,该等功率半导体装置系经由一导电黏着物层来连接到该等导电焊垫。16.如申请专利范围第15项所述之半导体封装体,其中,该导电黏着物是为焊锡与导电环氧树脂中之一者。17.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,其中,该等功率半导体装置系连接成半桥结构。18.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,其中,该功率半导体装置孙被连接来形成数个半桥结构。19.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,更包含一个用于控制该等功率半导体装置之运作的控制装置。20.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,更包含充填在该第一与第二热传导基板之间之空间的环氧树脂。21.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,更包含至少一个与该等热传导基板中之一者热接触的散热器。22.如申请专利范围第11项所述之半导体封装体,更包含一个与该等热传导基板中之每一者热接触的散热器。23.一种用于制造半导体封装体的方法,包含:提供一第一电路板,该第一电路板具有至少一个被设置于其之第一主表面上的导电焊垫;把导电黏着糊状物印刷于该导电焊垫上;把一半导体装置置放于该导电黏着物上;提供一第二电路板,该第二电路板具有至少一个被设置于其之第一主表面上的导电焊垫;把导电黏着糊状物印刷于在该第二电路板上的导电焊垫上;把该第二电路板置放于该半导体装置上以致于在该第二电路板上的导电黏着物系与该半导体装置接触;及施加热来回焊该导电黏着物。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中,该导电黏着物是为焊锡与导电环氧树脂中之一者。25.如申请专利范围第23项所述之方法,更包含以环氧树脂充填在该等电路板之间的空间。26.如申请专利范围第23项所述之方法,其中,该等电路板是为绝缘金属基板。27.如申请专利范围第23项所述之方法,其中,每个置放步骤系藉着一个取放机器来被执行。图式简单说明:第1图显示一习知半导体封装体的横截面图;第2图显示本发明之第一实施例之半导体封装体的顶视平面图;第3图显示被置于本发明之第一实施例之封装体之内之组件的电路图;第4图显示在本发明之封装体内所使用之电路板的顶视平面图;第5图显示在本发明之封装体内所使用之另一电路板的顶视平面图;第6图显示由第4图所示之电路板的顶视平面图,其包括数个半导体切换元件;第7图显示本发明之封装体之沿着第2图中之线7-7在箭头之方向观看的横截面图;第8图显示本发明之封装体的侧视图,一散热器系安装在该封装体的一侧上;第9A-9D图描绘本发明之封装体之制作所采用的处理步骤;第10图显示本发明之第二实施例之封装体的顶视平面图;第11图显示本发明之第三实施例之封装体的顶视平面图;第12图显示与一电路板整合在一起之本发明之第三实施例的封装体;第13图显示适于与本发明之第一实施例之封装体整合在一起之电路板的顶视平面图;第14图显示一与本发明之第一实施例之封装体整合在一起之电路的侧视图;第15图显示一与一电路板整合在一起之马达的侧视图,该电路板包括本发明之整合封装体;第16图显示一个三相降压转换器的电路图;及第17图描绘本发明之第四实施例的封装体。 |
