| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体的制造方法,包含如下步骤:在一半导体膜上形成一第一绝缘膜,而该半导体膜形成于一基板上;形成一岛状部份,藉着将该半导体膜与该第一绝缘膜图案化为岛状;在该岛状部份上形成一第二绝缘膜;在该第二绝缘膜上形成一闸极电极;且移除一突出部份,在该突出部份,组成岛状部份之该第一绝缘膜之边缘部份在该半导体膜之边缘部份上形成为一帽舌状;其中该突出部份之移除步骤系在该岛状形成步骤之后与该第二绝缘膜形成步骤之前进行。2.根据申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中在该突出部份之移除步骤中,该突出部份利用一化学清洁液来移除。3.根据申请专利范围第2项之薄膜电晶体的制造方法,其中在该突出部份之移除步骤中,该突出部份藉着清洁具有该形成岛状部份之基板而移除,其利用浓度范围由0.01%到10%之水相氢氟酸溶液作为该化学清洁液,且清洁时间由1到60秒钟。4.根据申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中实施该突出部份移除步骤,俾使该第一绝缘膜至少部份残留在形成于闸极电极形成步骤中之闸极电极范围下方之区域。5.一种薄膜电晶体的制造方法,包含如下步骤:在一半导体膜上形成一第一绝缘膜,而该半导体膜形成于一基板上;形成一岛状部份,藉着将该半导体膜与该第一绝缘膜图案化为岛状;清洁其上有岛状部份形成之该基板;在该岛状部份上形成一第二绝缘膜;且在该第二绝缘膜上形成一闸极电极;其中该清洁步骤亦为了移除一突出部份而实施,在该突出部份,组成岛状部份之该第一绝缘膜之边缘部份在该半导体膜之边缘部份上形成为一帽舌状。6.根据申请专利范围第5项之薄膜电晶体的制造方法,其中在该清洁步骤中,该突出部份利用一化学清洁液来移除。7.根据申请专利范围第6项之薄膜电晶体的制造方法,其中在该清洁步骤中,该突出部份藉着清洁具有该形成岛状部份之基板而移除,其利用浓度范围由0.01到10%之水相氢氟酸溶液作为该化学清洁液,且清洁时间由1到60秒钟。8.根据申请专利范围第5项之薄膜电晶体的制造方法,其中实施该清洁步骤,俾使该第一绝缘膜至少部份残留在形成于闸极电极形成步骤中之闸极电极范围下方之区域。9.根据申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中该半导体膜包含一多晶矽半导体。10.根据申请专利范围第9项之薄膜电晶体的制造方法,更包含:一半导体膜形成步骤,其包含一非单晶半导体膜形成步骤,用来在该基板上形成一非单晶半导体之半导体膜,与一回火步骤,藉由回火处理,使该非单晶半导体之半导体膜结晶化,而形成该多晶矽半导体之半导体膜。11.根据申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方法,其中该非单晶半导体包含一非晶系半导体。12.根据申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方法,其中在该回火步骤中,该多晶矽半导体之半导体膜系藉着以雷射光照射该非单晶半导体之半导体膜而形成。13.根据申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方法,其中从该回火步骤开始直到该第一绝缘膜形成步骤结束,预定的操作系在与外界气体隔离的状态下进行。14.根据申请专利范围第5项之薄膜电晶体的制造方法,其中该半导体膜包含一多晶矽半导体。15.根据申请专利范围第14项之薄膜电晶体的制造方法,更包含:一半导体膜形成步骤,其包含一非单晶半导体膜形成步骤,用来在该基板上形成一非单晶半导体之半导体膜,与一回火步骤,藉由回火处理,使该非单晶半导体之半导体膜结晶化,而形成该多晶矽半导体之半导体膜。16.根据申请专利范围第15项之薄膜电晶体的制造方法,其中该非单晶半导体包含一非晶系半导体。17.根据申请专利范围第15项之薄膜电晶体的制造方法,其中在该回火步骤中,该多晶矽半导体之半导体膜系藉着以雷射光照射该非单晶半导体之半导体膜而形成。18.根据申请专利范围第15项之薄膜电晶体的制造方法,其中从该回火步骤开始直到该第一绝缘膜形成步骤结束,预定的操作系在与外界气体隔离的状态下进行。图式简单说明:图1A到1E为习知方法之横剖面图;图2习知方法之放大横剖面图;图3A至3G为依据本发明第一实施例,制造TFT之方法之过程图;图4A至4E为制造TFT之方法之过程图;图5为TFT制造设备之组成的示意图,其用来制造TFT,且在其中进行薄膜沈积与透明绝缘基板之雷射光照射;图6为用来制造TFT之旋转清洁设备之组成的示意图;图7A至7F为依据本发明第二实施例,制造TFT之方法之过程图。 |
