| 主权项 |
1.一种积体电路,该积体电路包含:一功率驱动装置;以及一用来感测流经该功率驱动装置的电流之引示装置,且该引示装置包含:一包含复数个串联电晶体之复合引示装置,该复合引示装置至少在该功率驱动装置处于线性模式时起作用;与该复合引示装置并联的一辅助引示装置;以及一控制电路,用以在该功率驱动装置处于饱和模式时控制该辅助引示装置起作用。2.如申请专利范围第1项之积体电路,其中该功率驱动装置包含一功率场效电晶体(FET);且其中该复合引示装置及该辅助引示装置包含按照该功率FET的尺寸缩小且与之匹配的若干感测FET。3.如申请专利范围第2项之积体电路,其中该引示装置产生一基准电压;且进一步包含一放大器,用以将该基准电压与该功率FET的一源极电压比较。4.如申请专利范围第3项之积体电路,其中该放大器控制该功率FET及该等感测FET之闸极电压。5.如申请专利范围第1项之积体电路,其中该引示装置进一步包含:连接到该复合引示装置的一第一电流源;以及连接到该辅助引示装置的一第二电流源;其中该控制电路控制该第二电流源,以便启动该辅助引示装置。6.如申请专利范围第1项之积体电路,其中该控制电路包含一过电流侦测器,用以侦测该功率驱动装置是否在饱和模式下工作。7.如申请专利范围第1项之积体电路,其中该复合引示装置包含至少二十个串联的感测FET。8.一种积体电路,包含:一功率驱动装置;以及一用来感测流经该功率驱动装置的电流之引示装置,且该引示装置包含:一第一引示装置,用以至少在该功率驱动装置处于线性模式时感测流经该功率驱动装置的电流;一第二引示装置,用以在该功率驱动装置处于饱和模式时感测流经该功率驱动装置的电流;以及一控制电路,用以在该功率驱动装置处于饱和模式时控制该第二引示装置作业。9.如申请专利范围第8项之积体电路,其中该功率驱动装置包含一功率场效电晶体(FET);且其中该第一引示装置及该第二引示装置包含按照该功率FET的尺寸缩小且与之匹配的若干感测FET。10.如申请专利范围第9项之积体电路,其中该引示装置产生一基准电压;且进一步包含一放大器,用以将该基准电压与该功率FET的一源极电压比较。11.如申请专利范围第10项之积体电路,其中该放大器控制该功率FET及该等感测FET之闸极电压。12.如申请专利范围第8项之积体电路,其中该引示装置进一步包含:连接到该第一引示装置的一第一电流源;以及连接到该第二引示装置的一第二电流源;其中该控制电路控制该第二电流源,以便启动该第二引示装置。13.如申请专利范围第8项之积体电路,其中该控制电路包含一过电流侦测器,用以侦测该功率驱动装置是否在饱和模式下工作。14.一种用来调整其中包含一功率驱动装置的一积体电路中之电流之方法,该方法包含下列步骤:感测流经该功率驱动装置的电流,且一第一引示装置至少在该功率驱动装置处于线性模式时产生一基率电压;侦测该功率驱动装置是否处于饱和模式;以及感测流经该功率驱动装置的电流,且一第二引示装置在该功率驱动装置处于饱和模式时产生该基准电压。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该功率驱动装置包含一功率场效电晶体(FET);且其中该第一引示装置及该第二引示装置包含按照该功率FET的尺寸缩小且与之匹配的若干感测FET。16.如申请专利范围第15项之方法,进一步包含下列步骤:将该基准电压与该功率FET的一源极电压比较。17.如申请专利范围第16项之方法,进一步包含下列步骤:根据将该基准电压与该功率FET的该源极电压比较之结果,而控制该功率FET及该等感测FET之闸极电压。18.如申请专利范围第15项之方法,其中该第一引示装置包含复数个串联的感测FET。图式简单说明:图1是根据本发明的一积体电路之方块示意图。图2是图1所示积体电路的一实施例之示意图。图3是图1所示积体电路的另一实施例之示意图。 |
