发明名称 积层电子零件之制造方法
摘要 本发明,系适用于一种截断处小、尺寸精度高、没有应力歪斜造成烧制后之缺陷的积层电子零件之制造方法。对积层生坯片21照射雷射光92,将积层生坯片21截断成积层生晶片31。积层生晶片31,在烧制后呈一边长0.6mm以下、一边长0.3mm以下的方形。
申请公布号 TW200529260 申请公布日期 2005.09.01
申请号 TW093130471 申请日期 2004.10.08
申请人 TDK股份有限公司 发明人 高原弥;田中均
分类号 H01G4/12;H01G4/30 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本