气相淀积方法

摘要

提供一种可于Fe掺杂InP等之半导体基板上，将InAlAs等之化合物半导体所构成之磊晶层，以高再现性淀积之气相淀积方法。系预先测定半导体基板于室温下之电阻率，使基板之表面温度无关该半导体基板之电阻率，而达到期望温度地，配合上述室温下之电阻率来控制基板之设定温度，而淀积磊晶层。