| 摘要 |
本发明提供一种即使在半导体装置被缩小化的情况下，亦可进行经由接触孔连接的配线之更稳定的电性连接的半导体装置及其制造方法。利用以下的形态形成第2电极(14)：隔着形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，以其一部分重叠在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并设，且其上面经由接触孔(15a)与上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)的第2电极(14)的膜厚设为t2，且将这些第1电极的并设间隔设为S时，设定为「S」＜(2t1＋2t2)」的关系。 |
