| 摘要 |
〔课题〕提供一种可以使用含氟气体而进行乾式蚀刻同时能够抑制在配线沟槽侧壁部之损伤层之形成以及在Low－k(低介电系数)膜中之空隙之形成的半导体装置之制造方法。〔解决手段〕在下层配线1上，依序地形成第1绝缘膜2、第2绝缘膜3、第3绝缘膜4、反射防止膜5及阻剂膜6。在以阻剂膜6作为罩幕而在第3绝缘膜4和第2绝缘膜3来进行第1乾式蚀刻后，藉由灰化(ashing)而除去阻剂膜6及反射防止膜5。然后，以第3绝缘膜4作为罩幕，在第1绝缘膜2，进行第2乾式蚀刻，形成到达至下层配线1之配线沟槽。第1乾式蚀刻系在0.1Pa～4Pa之压力下，使用含有氟之气体所进行。此外，灰化系最好是使用氢气和惰性气体之至少一种所进行。 |
