发明名称 离子植入方法及装置
摘要 一种离子植入方法包括藉电场或磁场于X方向,往复式扫描离子束,以及于正交于X方向之Y方向,以机械方式往复式驱动一基体,以植入离子于基体之全体表面上。经由于离子束入射基体之一区,改变离子束扫描速度与基体驱动速度中之至少一者,可于该基体平面之中形成于基体平面非均匀之剂量分布。
申请公布号 TW200529275 申请公布日期 2005.09.01
申请号 TW093129822 申请日期 2004.10.01
申请人 日新意旺机器股份有限公司 发明人 松本贵雄;长井宣夫
分类号 H01J37/317;H01L21/265 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本