| 摘要 |
本发明提供一种薄膜电晶体阵列面板制造方法，该方法包括：在一基板上形成一闸极线；在该闸极线上依序沉积一闸极绝缘层及一半导体层；在该半导体层上沉积一下部导电膜及一上部导电膜；光蚀刻该上部导电膜、该下部导电膜及该半导体层；沉积一钝化层；光蚀刻该钝化层，藉此曝露该上部导电膜之第一部分和第二部分；去除该上部导电膜之第一部分和第二部分，藉此曝露该下部导电膜之第一部分和第二部分；在该下部导电膜之第一部分上形成一像素电极；去除该下部导电膜之第二部分，藉此曝露该半导体层之一部分；以及在该半导体层之曝露部分上形成一圆柱间隔物。 |
