| 主权项 |
1.一种层积陶瓷电子零件之制造方法,系属于在支 持片上,将依序层积了陶瓷生胚片、电极层及剥离 层之复数层积体单元予以层积,以制造层积陶瓷电 子零件之方法,其特征为,形成黏着层于前记支持 体表面,使得其和支持体之间的接着强度为,强于 前记支持片和前记陶瓷生胚片之间的接着强度,且 弱于其和前记剥离层之间的接着强度;使得前记层 积体单元之前记剥离层表面,接触至形成在前记支 持体表面之黏着层表面,而决定前记层积体单元的 位置,加压之,并将前记层积体单元层积在前记支 持体上。 2.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记黏着层,具有0.01m至0.3m的厚 度。 3.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记剥离层,含有和前记陶瓷生胚片 所含之黏结剂(binder)为同系的黏结剂。 4.如申请专利范围第2项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记剥离层,含有和前记陶瓷生胚片 所含之黏结剂为同系的黏结剂;前记黏着层,含有 和前记剥离层所含之黏结剂为同系的黏结剂。 5.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记剥离层,含有和前记陶瓷生胚片 所含之可塑剂为同系的可塑剂;前记黏着层,含有 和前记剥离层所含之可塑剂为同系的可塑剂。 6.如申请专利范围第2项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记剥离层,含有和前记陶瓷生胚片 所含之可塑剂为同系的可塑剂;前记黏着层,含有 和前记剥离层所含之可塑剂为同系的可塑剂。 7.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记剥离层,含有和前记陶瓷生胚片 所含之介电体为同一组成的介电体;前记黏着层, 含有和前记剥离层所含之介电体为同一组成的介 电体。 8.如申请专利范围第2项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记剥离层,含有和前记陶瓷生胚片 所含之介电体为同一组成的介电体;前记黏着层, 含有和前记剥离层所含之介电体为同一组成的介 电体。 9.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记黏着层,是以少于前记黏结剂的 比例,含有两性界面活性剂。 10.如申请专利范围第2项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记黏着层,是以少于前记黏结剂的 比例,含有两性界面活性剂。 11.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记支持体,是由:聚乙烯、聚丙烯、 聚碳酸酯、聚苯醚(polyphenylene ether)、聚对苯二甲 酸乙烯酯(polyethylene terephthalate)所成之群中选出之 塑胶材料所形成。 12.如申请专利范围第2项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记支持体,是由:聚乙烯、聚丙烯、 聚碳酸酯、聚苯醚(polyphenylene ether)、聚对苯二甲 酸乙烯酯(polyethylene terephthalate)所成之群中选出之 塑胶材料所形成。 13.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记陶瓷生胚片,具有3m以下的厚 度。 14.如申请专利范围第2项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记陶瓷生胚片,具有3m以下的厚 度。 15.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,将前记支持片,从被层积在前记支持 体上之层积体单元的前记陶瓷生胚片剥离下来,接 着,在前记剥离层表面上,将形成有接着层的层积 体单元,隔着前记接着层,层积在被层积在前记支 持体上之层积体单元的前记陶瓷生胚片上。 16.如申请专利范围第2项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,将前记支持片,从被层积在前记支持 体上之层积体单元的前记陶瓷生胚片剥离下来,接 着,在前记剥离层表面上,将形成有接着层的层积 体单元,隔着前记接着层,层积在被层积在前记支 持体上之层积体单元的前记陶瓷生胚片上。 17.如申请专利范围第1项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记层积体单元为,在前记剥离层表 面上,具备形成有互补于前记电极层图案之图案之 间隔层(spacer)。 18.如申请专利范围第2项之层积陶瓷电子零件之制 造方法,其中,前记层积体单元为,在前记剥离层表 面上,具备形成有互补于前记电极层图案之图案之 间隔层(spacer)。 图式简单说明: |
