| 主权项 |
1.一种表面处理方法,其特征为:将下述化学式(1)所 示之铵氢氧化物作为溶解辅助剂而添加于超临界 流体内,藉由前述超临界流体处理表面: 其中,化学式(1)中之R1~R4分别独立地表示烷基、羟 基取代烷基、芳基或氢。 2.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中于前 述表面形成有构造体。 3.如申请专利范围第2项之表面处理方法,其中前述 构造体系具有中空部之微细构造体、微型机器或 电极图案。 4.如申请专利范围第2项之表面处理方法,其中前述 表面系微影术用之曝光光罩的表面。 5.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中前述 超临界流体系二氧化碳。 6.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中于前 述超临界流体内添加界面活性物质。 7.如申请专利范围第6项之表面处理方法,其中作为 前述界面活性物质系使用极性溶剂。 8.一种表面处理方法,其特征为:将下述化学式(2)所 示之烷醇胺作为溶解辅助剂而添加于超临界流体 内,藉由前述超临界流体处理表面: R1R2-N-CH2CH2-O-R3 …(2) 其中,化学式(2)中之R1~R3分别独立地表示烷基、羟 基取代烷基、芳基或氢。 9.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其中于前 述表面形成有构造体。 10.如申请专利范围第9项之表面处理方法,其中前 述构造体系具有中空部之微细构造体、微型机器 或电极图案。 11.如申请专利范围第9项之表面处理方法,其中前 述表面系微影术用之曝光光罩的表面。 12.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其中前 述超临界流体系二氧化碳。 13.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其中于 前述超临界流体内添加界面活性物质。 14.如申请专利范围第13项之表面处理方法,其中作 为前述界面活性物质系使用极性溶剂。 15.一种表面处理方法,其特征为:将下述化学式(3) 所示之氟化胺作为溶解辅助剂而添加于超临界流 体内,藉向前述超临界流体处理表面: 其中,化学式(3)中之R1~R4分别独立地表示烷基、羟 基取代烷基、芳基或氢。 16.如申请专利范围第15项之表面处理方法,其中于 前述表面形成有构造体。 17.如申请专利范围第16项之表面处理方法,其中前 述构造体系具有中空部之微细构造体、微型机器 或电极图案。 18.如申请专利范围第16项之表面处理方法,其中前 述表面系微影术用之曝光光罩的表面。 19.如申请专利范围第15项之表面处理方法,其中前 述超临界流体系二氧化碳。 20.如申请专利范围第16项之表面处理方法,其中于 前述超临界流体内添加界面活性物质。 21.如申请专利范围第20项之表面处理方法,其中作 为前述界面活性物质系使用极性溶剂。 22.一种表面处理方法,其特征为:将氟化氢酸作为 溶解辅助剂而添加于超临界流体内,藉由前述超临 界流体处理表面。 23.如申请专利范围第22项之表面处理方法,其中藉 由前述超临界流体处理形成有构造体之表面。 24.如申请专利范围第23项之表面处理方法,其中前 述构造体系具有中空部之微细构造体、微型机器 或电极图案。 25.如申请专利范围第23项之表面处理方法,其中前 述表面系微影术用之曝光光罩的表面。 26.如申请专利范围第22项之表面处理方法,其中前 述超临界流体系二氧化碳。 27.如申请专利范围第22项之表面处理方法,其中于 前述超临界流体内添加界面活性物质。 28.如申请专利范围第27项之表面处理方法,其中作 为前述界面活性物质系使用极性溶剂。 29.一种半导体装置,其特征为;将下述化学式(1)所 示之铵氢氧化物作为溶解辅助剂而添加于超临界 流体内,藉由前述超临界流体处理表面而获得: 其中,化学式(1)中之R1~R4分别独立地表示烷基、羟 基取代烷基、芳基或氢。 30.一种半导体装置,其特征为:将下述化学式(2)所 示之烷醇胺作为溶解辅助剂而添加于超临界流体 内,藉由前述超临界流体处理表面而获得: R1R2-N-CH2CH2-O-R3 …(2) 其中,化学式(2)中之R1~R3分别独立地表示烷基、羟 基取代烷基、芳基或氢。 31.一种半导体装置,其特征为:将下述化学式(3)所 示之氟化胺作为溶解辅助剂而添加于超临界流体 内,藉由前述超临界流体处理表面而获得: 其中,化学式(3)中之R1~R4分别独立地表示烷基、羟 基取代烷基、芳基或氢。 32.一种半导体装置,其特征为:将氟化氢酸作为溶 解辅助剂而添加于超临界流体内,藉由前述超临界 流体处理表面而获得。 33.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其系用 于半导体装置之制造方法。 34.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其系用 于半导体装置之制造方法。 35.如申请专利范围第15项之表面处理方法,其系用 于半导体装置之制造方法。 36.如申请专利范围第22项之表面处理方法,其系用 于半导体装置之制造方法。 37.一种处理装置,其特征为包含: 收纳基板之处理室; 供前述基板自由搬入搬出之开口部; 设于前述开口部之密闭前述处理室内之盖; 密封构件,其系夹在前述处理室与前述盖之间,可 将前述处理室内予以气密; 设于前述处理室之流体供给口;及 流体供给源,其系连接于前述流体供给口供给构成 超临界流体的物质。 38.如申请专利范围第37项之处理装置,其中前述流 体供给源系以气体状态供给构成前述超临界流体 之物质。 39.如申请专利范围第37项之处理装置,其中进一步 具备排出前述处理室内之构成前述超临界流体之 物质的排压阀。 40.如申请专利范围第39项之处理装置,其中进一步 具备连接于前述排压阀之排出液分离装置。 41.如申请专利范围第40项之处理装置,其中于前述 处理室内进一步具备将超临界物质予以加热之加 热机构。 图式简单说明: 图1系一种用于本发明表面处理之超临界流体的说 明图。 图2系显示一种用于本发明之表面处理之处理装置 的构造图。 图3系显示一种应用本发明之表面处理之微型机器 的鸟瞰图。 图4(a)~(e)系显示应用本发明之表面处理之微型机 器的制造剖面步骤图。 图5系显示本发明之表面处理程序的流程图。 图6(a)~(c)系显示应用本发明之表面处理之半导体 装置的制造剖面步骤图。 图7(a)、(b)系显示应用本发明之表面处理之曝光光 罩图。 |
