| 主权项 |
1.一种化合物,其系选自下所列化合物8-a至8-5: 其中: 结构(I)代表 其中,A系C: 结构(XI)代表 结构(XII)代表 (a)代表其余R取代基为氢; 8hq代表8-羟基根; Me-8hq代表2-甲基-8-羟基根;及 acac代表2,4-戊二酮根。 2.一种有机电子装置,包括在两电接触层之间之至 少一活性层,其中该至少一活性层包括选自根据申 请专利范围第1项之化合物。 3.根据申请专利范围第2项之装置,其中该活性层系 为光发射层。 4.根据申请专利范围第2项之装置,其中该活性层系 为电荷输送层。 5.一种有机电子装置,包括具有在570至700毫微米之 范围内之发射最大値的发射层,其中发射层之至少 20重量百分比包括具有以下之第二化学式的至少 一化合物: IrLaLbL'yL"Z (第二化学式) 其中: Y为1; z为0; L'为双牙团配位子,且不为苯基啶、苯基嘧啶、 或苯基; L"为单牙团配位子,且不为苯基啶、苯基嘧啶、 或苯基; La及Lb系彼此相似或不同,且各La及Lb具有选自以下 之结构(XI)及结构(XII)的结构: 其中: R10及R19之至少一者系选自F、CnF2n+1、OCnF2n+1、及OCF 2X,其中n为自1至6之整数,及X为H、Cl、或Br; 其中: R21至R30之至少一者系选自F、CnF2n+1、OCnF2n+1、及OCF 2X,其中n为自1至6之整数,及X为H、Cl、或Br。 6.一种有机电子装置,包括具有在570至700毫微米之 范围内之发射最大値的发射层,其中发射层之至少 20重量百分比包括具有以下之第三化学式的至少 一化合物: IrLaLbLc (第三化学式) 其中: La、Lb、及Lc系彼此相似或不同,且各La、Lb、及Lc具 有选自以下之结构(XI)及结构(XII)的结构: 其中: R10至R19之至少一者系选自F、CnF2n+1、OCnF2n+1、及OCF 2X,其中n为自1至6之整数,及 X为H、Cl、或Br; 其中: R21至R30之至少一者系选自F、CnF2n+1、OCnF2n+1、及OCF 2X,其中n为自1至6之整数,及X为H、Cl、或Br。 7.一种具有第六化学式之化合物,其系选自下所列 化合物9-a至9-1: IrLaLbL'L" (第六化学式) 其中: 结构(I)代表 其中,A系C; NC-1系2,6-(CH3)2C6H3NC; NC-2系3-CF3C6H4NC; NC-3系4-CH3C6H4SO2CH2NC; PPh3系P(C6H5)3;及 PtmPh3为(Arf)3P,其中Arf=3,5-(CF3)2 C6H3。 8.一种有机电子装置,包括具有在450至500毫微米之 范围内之发射最大値的发射层,其中发射层之至少 20重量百分比包括具有以下之第六化学式的至少 一化合物: IrLaLbL'L" (第六化学式) 其中: L'系选自膦、异、及一氧化碳; L"系选自F、Cl、Br、及I; La及Lb具有以下的结构(I), 其中: R1至R8系分别选自烷基、烷氧基、卤素、硝基、氰 基、氟基、氟化烷基及氟化烷氧基,及R1至R8之至 少一者系选自F、CnF2n+1、OCnF2n+1、及OCF2X,其中n为 自1至6之整数,及X为H、Cl、或Br,及 A为C。 9.根据申请专利范围第8项之装置,其中L"为Cl,及L' 系选自三苯膦、参[3,5-双(三氟甲基)苯基]膦、异 氰2,6-二甲苯、异氰3-三氟甲苯、及异氰4-甲苯磺 醯甲烷。 10.根据申请专利范围第8项之装置,其中该化合物 系选自根据申请专利范围第7项之化合物。 11.一种具结构(II)之化合物,其系选自下所列化合 物12-a至12j: 图式简单说明: 图1系光发射装置(LED)之示意图。 图2系LED测试装置之示意图。 |
