| 主权项 |
1.一种乙烯的均聚物,其具有: 退火密度D/重均分子量Mw之关系,由方程式D>1104.5Mw- 0.0116定义;和 一多分散性Mw/Mn是16或以下, 分子量分布在半高处的宽度至少为1.6,及 或是却贝抗冲I/高负荷熔化指数H之关系,由方程式 I>35.0H-0.4定义, 或是动态贮存模量G'为2.9或以下。 2.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,其中的 多分散性Mw/Mn是在7和16之间。 3.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,其具有 退火密度D/分子量Mw之关系,由方程式D>1105.5 Mw-0. 0116定义。 4.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,其具有 Charpy抗冲I/HLMI H之关系,由方程式I>37.0H-0.42定义。 5.依据申请专利范围第4项之乙烯的均聚物,其具有 Charpy抗冲I/HLMT H之关系,由方程式I>38.8H-0.42定义。 6.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,其具有 模胀S(在切变率为15/s和190℃)对HLMI H之关系,由方 程式S<10 log10H+30定义。 7.依据申请专利范围第6项之乙烯的均聚物,其中模 胀S对HLMI H之关系,由方程式S<10 log10H+29定义。 8.依据申请专利范围第6项之乙烯的均聚物,其中模 胀S对HLMI H之关系,由方程式S<10 log10H+28定义。 9.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,其具有 HLMI H为10或以下,和在复合时熔化质流率降不超过 20%。 10.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,其中 每1000个碳之乙烯基含量大于0.3(0.3/1000C)。 11.依据申请专利范围第10项之乙烯的均聚物,其中 乙烯基含量大于0.5/1000C。 12.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,是丸 片的形式,一膜或一模制成或挤出的物件。 13.依据申请专利范围第12项之乙烯的均聚物,是一 导管或一容器的形式。 14.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,附加 包含抗氧化剂和/或中和剂。 15.依据申请专利范围第1项之乙烯的均聚物,其提 供一膜,该膜具有 密度至少为957kg/m3; 镖抗冲至少为130g;和 多分散性小于12。 16.依据申请专利范围第15项之乙烯的均聚物,其中 该膜之镖抗冲至少为140g。 17.依据申请专利范围第15项之乙烯的均聚物,其中 该膜之镖抗冲至少为150g。 18.一种制造乙烯聚合物之膜的方法,该方法包括形 成乙烯聚合物,该乙烯的聚合物具有: 退火密度D/重均分子量Mw之关系,由方程式D>1104.5Mw- 0.0116定义; 一多分散性Mw/Mn是16或以下, 分子量分布在半高处的宽度至少为1.6,及 或是却贝抗冲I/高负荷熔化指数H之关系,由方程式 I>35.0H-0.4定义, 或是动态贮存模量G'为2.9或以下, 所藉方法包括将乙烯在聚合反应条件下与一聚合 反应触媒接触,触媒包括(1)一化合物,具化学式B和 具选择性(2)一活剂量之一活化剂化合物,包括能活 化触媒来进行烯烃聚合反应的一路易士酸,然后将 结果聚合物吹成一膜。 19.依据申请专利范围第18项之方法,其中膜包含一 乙烯的均聚物。 20.一种乙烯的均聚物,其具有: 退火密度D/重均分子量Mw之关系,由方程式D>1104.5Mw- 0.0116定义;和 一多分散性Mw/Mn是16或以下, 分子量分布在半高处的宽度至少为1.6, 每1000个碳之乙烯基含量大于0.3 (0.3/10000C),及 或是却贝抗冲I/高负荷熔化指数H之关系,由方程式 I>35.0H-0.4定义, 或是动态贮存模量G'为2.9或以下。 图式简单说明: 第1图显示本发明的聚合物和某些市购聚合物的退 火密度与重均分子量之间的关系,也显示由本发明 所定义的直线;在本发明内的聚合物是在此直线的 右方(和在第2图直线的上方)。 第2图显示本发明聚合物和某些市购聚合物的却贝 抗冲和HLMI之间的关系,也显示由本发明所定义的 直线;在本发明内的聚合物是在此直线的上方(和 在第1图直线的右方)。 第3图显示本发明聚合物和某些市购聚合物的模胀 和HLMI之间的关系,也显示由本发明理想聚合物所 定义的直线;这些理想聚合物是在此直线的下方( 和在第1图直线的右方和在第2图直线的上方)。 第4图显示分子量分布的半宽度与多分散度Mw/Mn之 间的关系,而后者是16或以下。本发明的理想聚合 物之半宽度至少为1.6。 |
