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Eine integrierte Schaltung wird offenbar, die einen Vorladeschaltkreis für einen DC-DC-Wadler zur Spannungserhöhung mit einer Spule (L1), einem MOSFET-Leistungstransistor (MP5), der mit der Spule zwischen einem Spannungsanschluss und einer Last (RLast, CLast), deren zweite Seite an Masse angeschlossen ist, in Reihe geschaltet ist, umfasst. Dieser Vorladeschaltkreis enthält ferner einen Bezugsstromkreis mit einem MOSFET-Transistor (MP4), der ein Gate mit dem Gate des MOSFET-Leistungstransistors (MP5) verbunden hat, um einen Stromspiegel herzustellen. Der Vorladeschaltkreis funktioniert dahingehend, dass sich die Ausgangsspannung der Versorgungsspannung annähert, bevor der Wandler in Betrieb genommen wird. Ein integrierter Steuerkreis passt das Gate-Potential am MOSFET-Leistungstransistor (MP5) und am MOSFET-Transistor (MP4) im Bezugsstromkreis in Reaktion auf eine Verminderung der Drain-Source-Spannung des MOSFET-Leistungstransistors (MP5) so an, dass der durch den MOSFET-Leistungstransistor (MP5) fließende Vorladestrom konstant gehalten wird.
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