Halbleiterbauelement sowie mikromechanische Struktur

摘要

Ein Halbleiterbauelement (1) weist ein Substrat, ein aktives Gebiet (2), das in/auf dem Substrat ausgebildet ist, und eine Passivierungsschicht (5), die zumindest oberhalb eines Teils des aktiven Gebiets (2) vorgesehen ist, auf. Die Passivierungsschicht (5) besteht wenigstens teilweise aus amorphem, mit Wasserstoff dotiertem Kohlenstoff. Das Vorsehen einer derartigen Passivierungsschicht ermöglicht einen wirkungsvollen Schutz des Halbleiterbauelements (1) gegenüber Umwelteinflüssen.