| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von SOI-Substraten mit einer sehr effizienten Beseitigung von durch Ionenimplantation verursachten Schäden |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69825931(T2) |
申请公布日期 |
2005.09.01 |
| 申请号 |
DE19986025931T |
申请日期 |
1998.04.09 |
| 申请人 |
SHARP K.K., OSAKA |
发明人 |
SEGUCHI, YOUHEI;TOKUSHIGE, NOBUAKI |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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