发光二极管结构

摘要

本发明是关于一种具有建构式氧化薄膜接触层的发光二极管结构。此发光二极管结构是架构于一基板上，包含一形成于此基板上的缓冲层、一形成于此缓冲层上的下束缚层、一形成于此下束缚层上的发光层、一形成于此发光层上的上束缚层、一形成于此上束缚层上的建构式氧化薄膜接触层，其导电性可为P型、N型或I型，以及第一电极与第二电极(透明电极)，其中透明电极形成于建构式氧化薄膜接触层上，作为发光二极管的阳极。第一电极则形成于下束缚层上，并与发光层、上束缚层、接触层及透明电极隔离，作为发光二极管的阴极。

主权项

1.一种发光二极管结构，包括：一基板；一形成于该基板上的第一导电型缓冲层；一形成于该缓冲上的下束缚层；一形成于该下束缚层上的发光层；一形成于该发光层上的上束缚层；一形成于该上束缚层上的接触层，其为由第二导电型半导体化合物材料所制备的建构式氧化薄膜接触层；一形成于该下束缚层上，且与该发光层、该上束缚层及该接触层隔离的第一电极；以及一形成于该接触层上的第二电极。