热处理硅晶片的方法及用该方法制造的硅晶片

摘要

本发明涉及一种热处理硅晶片的方法，其中该硅晶片至少暂时暴露于含氧气氛中，热处理进行时的温度是经适当选择以便满足以下不等式：[O_i]＜[O_i]^eq(T)exp[2σ_sio2Ω/rkT]其中[O_i]是硅晶片内的氧浓度。[O_i]^eq(T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，σ_sio2是二氧化硅的表面能，Ω是沉淀氧原子的体积，r是平均COP半径以及k是波耳兹曼常数。本发明还涉及一种硅晶片，该硅晶片的整体氧沉淀成核中心密度为至少10⁷/立方厘米，其正面上具有至少1微米厚的无成核中心区，以及在至少50％晶片厚度深处的COP密度低于10000/立方厘米。

主权项

1.一种热处理硅晶片的方法，其中该硅晶片至少暂时暴露于含氧气氛中，热处理进行时的温度是经适当选择以便满足以下不等式：$\left[Q_i\right]<{\left[O_i\right]}^{\mathrm{eq}}\left(T\right)\exp \left(\frac{{2\sigma }_{{\mathrm{SiO}}_2}\Omega }{\mathrm{rkT}}\right)---\left(1\right)$ 其中[Oi]是硅晶片内的氧浓度，[Oi]eq(T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，σsio2是二氧化硅的表面能，Ω是沉淀氧原子的体积，r是平均空位集块半径以及k是波耳兹曼常数。