发明名称 防止显影缺陷的方法及用于该方法的组合物
摘要 一种防止显影缺陷的组合物,其包含(1)C<SUB>4-15</SUB>全氟烷基羧酸、C<SUB>4-10</SUB>全氟烷基磺酸或全氟己二酸与铵、四烷基铵或C<SUB>1-4</SUB>烷醇胺的盐或(2)无机酸与全氟烷基季铵盐的盐,其中酸/碱当量比为1/1到1/3。该组合物被施覆到形成于直径为8英寸或更大基底上的正型化学增强光致抗蚀剂膜上。在涂覆防止显影缺陷组合物之前或之后,烘干化学增强光致抗蚀剂膜。将该光致抗蚀剂膜进行曝光和后曝光烘干,然后显影。因此,通过显影光致抗蚀剂膜厚的减少比未施覆防止显影缺陷组合物的情况增大了100-600埃。在直径为8英寸或更大基底上的显影缺陷减少了,形成了无T顶等的具有令人满意的截面形状的抗蚀图形。
申请公布号 CN1662854A 申请公布日期 2005.08.31
申请号 CN03813936.7 申请日期 2003.06.10
申请人 AZ电子材料(日本)株式会社 发明人 秋山靖;高野佑辅;高桥清久;洪圣恩;冈安哲雄
分类号 G03F7/38;G03F7/11;H01L21/027 主分类号 G03F7/38
代理机构 北京三幸商标专利事务所 代理人 刘激扬
主权项 1.一种形成抗蚀图形的方法,与不施覆防止显影缺陷组合物的情况相比,该方法将显影后化学增强光致抗蚀剂涂层的厚度减少提高了100-600埃,该方法包括:在直径为8英寸或更大的基底上通过涂覆形成化学增强光致抗蚀剂涂层的步骤;在该化学增强光致抗蚀剂涂层上施覆防止显影缺陷的含表面活性剂的组合物的步骤;在通过涂覆形成该化学增强光致抗蚀剂涂层的步骤或施覆该防止显影缺陷组合物的步骤中的至少一个步骤之后的烘干步骤;对该化学增强光致抗蚀剂涂层进行有选择的曝光的步骤;后曝光烘干该化学增强光致抗蚀剂涂层的步骤;和显影该化学增强光致抗蚀剂涂层的步骤,其中该表面活性剂选自以下物质的至少一种:(1)C4-C15全氟烷基羧酸的铵盐、四烷基铵盐或C1-C4烷醇胺盐,(2)C4-C10全氟烷基磺酸的铵盐、四烷基铵盐或C1-C4烷醇胺盐,(3)全氟己二酸的季铵盐,和(4)无机酸的氟化烷基季铵盐,该无机酸选自以下物质的至少一种:硫酸、盐酸、硝酸和氢碘酸,同时该表面活性剂是通过酸与碱的当量比为1∶1至1∶3形成的。
地址 日本国东京都