| 发明名称 |
Vertical transistor memory arrangement and method for fabricating a vertical transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2380857(B) |
申请公布日期 |
2005.08.31 |
| 申请号 |
GB20020014803 |
申请日期 |
2002.06.26 |
| 申请人 |
* INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
PETER * HAGEMEYER |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/792;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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