| 发明名称 | 近接式影像传感器光源发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种近接式影像传感器光源发光二极管(LED：LightEmitting Diode)，该发光二极管的胶体封装区内包括两电极供电流顺向流入一半导体p-n界面，使该半导体的释放光线自胶体封装区发散出，胶体封装区外缘具一平直面，并设定该半导体光线发散中心轴线与该平直面的延伸线形成一小于90度夹角。本发明的优点是：近接式影像传感器光源发光二极管能够将其光源直接投射在影像传感器的影像撷取范围内，通过降低光线损耗提升影像判读的准确度，并进一步改善应用产品的体积，更能间接节省应用产品的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1217426C | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN03148808.0 | 申请日期 | 2003.06.12 |
| 申请人 | 今湛光学科技股份有限公司;陈文钦 | 发明人 | 陈文钦 |
| 分类号 | H01L33/00;G06F3/033 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张爱群 |
| 主权项 | 1、一种近接式影像传感器光源发光二极管，其特征在于：该发光二极管的胶体封装区包括供电流顺向流入一半导体的p-n界面的两电极，使该半导体的释放光线自胶体封装区发散出，该半导体固设于任一电极的顶部，胶体封装区外缘具一平直面，该半导体的光线发散中心轴线与该平直面的延伸线形成一锐角。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||