| 发明名称 | 半导体激光器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在不增加包层的厚度或Al含量的情况下具有充分的光限制效果的半导体激光器件。提供的半导体激光器件包括衬底、有源层、位于有源层和衬底之间的第一包层、位于有源层上的第二包层、以及包括金属波导层并且形成在第二包层上的第一电极层，该金属波导层由比第二包层的折射率小的金属制成，其中形成第一电极层作为波导工作。 | ||
| 申请公布号 | CN1661870A | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN200510065668.5 | 申请日期 | 2005.02.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 河镜虎;郭准燮;李成男;蔡程惠 |
| 分类号 | H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器件，包括：衬底；有源层；位于所述衬底和所述有源层之间的第一包层；位于所述有源层上的第二包层；以及包括金属波导层并且形成在所述第二包层上的第一电极层，所述金属波导层由具有比第二包层更小折射率的金属制成，其中所述第一电极层被形成作为波导工作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||