用于制造固态成像器件的方法

摘要

首先，在半导体衬底上，在将要形成电荷转移部分的区域中形成第一栅绝缘膜，并在所述第一栅绝缘膜上形成一个保护膜。在所述保护膜上形成用于转移沟道形成的光刻胶，然后通过构图去除用于转移沟道形成的光刻胶的一部分。接着，利用用于转移沟道形成的光刻胶作为掩膜，来离子注入杂质，以便在所述第一栅绝缘膜之下形成转移沟道。随后，去除所述用于转移沟道形成的光刻胶，并在所述保护膜上形成第二栅绝缘膜。之后，形成一个转移电极。

主权项

1、一种用于制造固态成像器件的方法，该固态成像器件包括具有一个光电二极管和一个电荷转移部分的半导体衬底，该电荷转移部分设置有转移沟道，该方法包括步骤：(a)在该半导体衬底上、在将要形成该电荷转移部分的区域中，形成第一栅绝缘膜；(b)在该第一栅绝缘膜上形成一个保护膜；(c)在该保护膜上形成用于转移沟道形成的光刻胶，并且去除一部分与将要形成该转移沟道的区域重叠的所述用于该转移沟道形成的光刻胶；(d)利用所述用于该转移沟道形成的光刻胶作为掩膜，通过杂质的离子注入，在该第一栅绝缘膜之下形成该转移沟道；(e)去除所述用于该转移沟道形成的光刻胶；以及(f)在步骤(e)之后，在该保护膜上形成第二栅绝缘膜。