半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括至少二晶体管、一导体层、一栅氧化层及一栅极结构。每一晶体管包括有源极区、漏极区以及浅沟渠隔离结构，其中浅沟渠隔离结构形成于源极区及漏极区之间，且与源极区及漏极区相邻接，并且将源极区及漏极区电性隔离，以使晶体管的短沟道效应最小化。导体层配置于源极区、浅沟渠隔离结构及漏极区之上，且导体层将源极区及漏极区电性连接，以作为沟道区。栅氧化层配置于导体层之上。栅极结构形成于栅氧化层之上。栅极结构、源极区及漏极区形成一个晶体管。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于：包括：一基底，其具有一源极区、一漏极区及一浅沟渠隔离结构，其中该浅沟渠隔离结构位于该源极区及该漏极区之间，且与该源极区及该漏极区相邻接，并且电性隔离该源极区及该漏极区；一导体层，配置于该基底之上，该导体层与该源极区、该浅沟渠隔离结构及该漏极区局部重叠；一栅氧化层，配置于该导体层之上；以及一栅极结构，位于该栅氧化层之上，该栅极结构、该源极区及该漏极区构成一晶体管。