多级闪存设备与编程方法

摘要

公开了一种多级闪存设备和编程方法。该多级闪存设备包括：多个存储单元，每个单元存储指示多于两个可能状态的电荷量；以及连接到存储单元的控制电路。该控制电路将编程电压与校验电压交替地施加到所述存储单元，直到所有单元处于期望的状态，并且施加至少一个额外的编程电压到处于最高状态的单元，而不施加校验电压。该方法包括：施加至少一个编程脉冲到单元；校验每个单元已达到期望的状态；选择被编程到最高状态的单元；并施加至少一个额外的编程脉冲到所选择的单元，而不进一步校验这些单元的状态。

主权项

1.一种用于将多个存储单元编程到期望状态的方法，每个单元具有多于两个的可能状态，该方法包括：施加至少一个编程脉冲到所述单元；校验每个单元已达到期望状态；选择被编程到最高状态的单元；并且施加至少一个额外编程脉冲到所选择的单元，而不进一步校验这些单元的状态。