| 发明名称 | 电抛光具有带虚设结构的沟槽或者通路的晶片上的金属层 | ||
| 摘要 | 在电抛光半导体晶片上的金属层中，在半导体晶片(未示出)上形成电介质(100)。该电介质(100)形成有凹进区(102)和非凹进区(103)。多个虚设结构(200)是构成的非活动区，以便增加后来形成在电介质(100)上的金属层(106)的平整度。然后形成金属层(106)以便填充凹进区(102)并且覆盖非凹进区(103)和多个虚设结构(200)。然后电抛光该金属层(106)以便露出非凹进区(102)。 | ||
| 申请公布号 | CN1663036A | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN02808834.4 | 申请日期 | 2002.04.04 |
| 申请人 | ACM研究公司 | 发明人 | 王晖;易培豪 |
| 分类号 | H01L21/4763;H01L23/48;C25D5/02 | 主分类号 | H01L21/4763 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种电抛光半导体晶片上的金属层的方法，包括：在半导体晶片上形成一个电介质，其中该电介质形成有凹进区和非凹进区；在凹进区内形成多个虚设结构，其中构成的虚设结构是用于增加接着形成在电介质上的金属层的平整度的非活动区；形成一个金属层以便填充凹进区并且覆盖所述非凹进区和所述多个虚设结构；和电抛光所述金属层以便露出所述非凹进区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||