发光二极管装置的制造方法

摘要

一种发光二极管装置的制造方法，该发光二极管具有单一打线接合特征。此发光二极管装置具有一形成于一绝缘基板上的GaN型半导体层叠状结构。一环状隔绝部分例如一渠沟或一由离子注入所形成的高电阻性部分形成于GaN型半导体叠状结构中。一p型电极形成于该p型层且未电连接于该周缘p型层。一导电层经由涂覆而覆盖该绝缘基板的侧壁与底表面且欧姆接于该n型层。依据本发明，导电层可形成为一镜状反射器或一透光层。

主权项

1.一种发光二极管装置的制造方法，包括下列步骤：准备一绝缘基板；形成一第一GaN型半导体层于该绝缘基板上；形成一有源层于该第一GaN型半导体层上方，用以产生光；形成一第二GaN型半导体层于该有源层上方；形成一环状隔绝部分，以使该第二GaN型半导体层分离成一中央第二GaN型半导体层与一周缘第二GaN型半导体层且使该有源层分离成一中央有源层与一周缘有源层；形成一第一电极于该中央第二GaN型半导体层上且未电连接至该周缘第二GaN型半导体层；以一弹性卷带覆盖该第一电极；以及涂覆一导电层，以完全覆盖该绝缘基板的侧壁与底表面且欧姆接触于该第一GaN型半导体层。