发明名称 动态型半导体存储装置
摘要 本发明提供一种一边可以应付位线与字线的短路缺陷而引起的备用电流不良,一边可以以小的布局面积达到高的冗余救济率,且能可靠地冗余救济的动态型半导体存储装置。相对共享读出放大器中的一侧的位线对用均衡电路和另一侧的位线对用均衡电路,共同设置一个电流限制元件,通过电流限制元件,向两侧的均衡电路供给位线预充电电位。
申请公布号 CN1661724A 申请公布日期 2005.08.31
申请号 CN200510052452.5 申请日期 2005.02.28
申请人 尔必达存储器股份有限公司 发明人 塚田修一
分类号 G11C11/409;G11C7/00 主分类号 G11C11/409
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘建
主权项 1、一种半导体存储装置,其特征在于,包括:对向配置的一侧和另一侧的存储单元群;连接在所述一侧存储单元群上的多对的一侧位线对;连接在所述另一侧存储单元群上的多对的另一侧位线对;和配置在所述一侧存储单元群与另一侧存储单元群之间,控制所述一侧位线对和另一侧位线对的共享读出放大器;所述共享读出放大器包括:分别连接在所述一侧的一对位线对上的一侧的均衡电路;分别连接在所述另一侧的一对位线对上的另一侧的均衡电路;和相对一个或多个所述一侧的均衡电路和一个或多个所述另一侧的均衡电路共同设置,向一个或多个所述一侧和另一侧的均衡电路供给位线预充电电位的一个电流限制元件;分别连接在共用所述一个电流限制元件的所述一侧均衡电路和所述另一侧均衡电路,列冗余的置换目标变为共同的存储单元群的单位(叫做「列置换段」)构成为:在所述一侧存储单元群和所述另一侧存储单元群之间成为互不相同的单位。
地址 日本东京