| 发明名称 | 等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H<SUB>2</SUB>的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1663030A | 申请公布日期 | 2005.08.31 |
| 申请号 | CN03815028.X | 申请日期 | 2003.06.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 山口智代;布瀬晓志;藤本究;本田昌伸;永关一也;高明辉;榎本隆;伊藤弘治;北村彰规 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1、一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||