T栅的形成

摘要

给出了在一个衬底上仅使用UV－敏感的光致抗蚀剂形成T栅结构的方法。这种方法使用两个光刻的步骤给出T栅结构，其中每个步骤使用了辐射的单个波长。

主权项

1.发明提供了在衬底上形成T-栅的方法，步骤包括：a)提供衬底；b)在衬底上可选择地设置有机平面化层；c)设置紫外敏感的第一光致抗蚀剂层；d)通过掩膜将第一光致抗蚀剂暴露于紫外辐射，且显影曝光的第一光致抗蚀剂形成第一光致抗蚀剂图案，以限定用于T-栅底部的第一开口；e)如果存在平面化层，则转移图案到平面化层；f)使图案对紫外辐射不敏感；g)设置紫外敏感的第二光致抗蚀剂层，第二光致抗蚀剂层是负作用的；h)通过掩膜将第二光致抗蚀剂暴露于紫外辐射，且显影曝光第二光致抗蚀剂形成第二光致抗蚀剂图案以限定第一开口上用于T-栅帽部的第二开口；和i)在第一和第二开口内沉积导电材料以形成T-栅。