发明名称 TFT阵列试验方法
摘要 本发明的目的在于提供一种试验方法,其可在未封入EL元件的状态下试验电流拷贝型像素是否存在缺陷。上述问题可通过如下试验方法等而解决,该试验方法的特征在于其为具有像素的TFT阵列的试验方法,该像素包含用以控制电流量的晶体管,连接于晶体管的栅极端子与源极端子之间的电容器,连接于晶体管的栅极端子与漏极端子之间的第一开关,以及一端连接于晶体管的漏极端子,并与第一开关同步实行接通断开动作的第二开关;另外,其具有将第一开关以及第二开关设为接通状态的步骤,在第二开关的他端施加第一电压的步骤,及在第二开关的他端施加第二电压,并且测定流动于第一开关的电荷量的步骤。
申请公布号 CN1661377A 申请公布日期 2005.08.31
申请号 CN200410102521.4 申请日期 2004.12.24
申请人 安捷伦科技公司 发明人 田岛佳代子
分类号 G01R19/00;G01R31/26;G09G3/30 主分类号 G01R19/00
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 王允方;刘国伟
主权项 1.一种试验方法,其特征在于其为具有像素的TFT阵列的试验方法,该像素包含晶体管,其用以控制电流量,电容器,其连接于上述晶体管的栅极端子与源极端子之间,第一开关,其连接于上述晶体管的栅极端子与漏极端子之间,以及第二开关,其一端连接于上述晶体管的漏极端子,并与上述第一开关同步实行接通断开动作;另外,其具有将上述第一开关以及上述第二开关设为接通状态的步骤,于上述第二开关的他端施加未满上述晶体管的阈电压的第一电压的步骤,以及于上述第二开关的他端施加未满上述晶体管的阈电压并与上述第一电压不同的第二电压,并且测定流动于上述第一开关的电荷量的步骤。
地址 美国加利福尼亚州